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電化學沉積陶瓷膜在難氧化鋁合金的研究方面取得了一些進展,但仍存在很多限制因素,如電源設備投資大,氧化電流大,氧化時間較難控制等。并詳細研究了電解工藝參數(shù)對膜層性能的影響,同時通過SEM,XRD,EDS等表面分析分析和研究了膜層的形貌、成份和結構。 研究工作在電化學沉積陶瓷膜基礎上,保留了膜層優(yōu)異的性能,克服了其在電源設備、自動控制及能耗成本方面的不足。施壓方式從較高直流或非連續(xù)陽極電壓變更為濾波直流電壓,電壓也從高達幾百伏降至了50V左右,大大降低了能耗,自動控制及生產(chǎn)性進一步。 本研究選用了、硼酸及磺基水楊酸三種主要氧化電解質,并配以成膜促進劑和成膜添加劑,組成復合電解液。將鋁及其合金材料置于此種復合電解液中,采用濾波直流電壓方式,對其進行陽極化處理,可在鋁及其合金表面形成一層、灰色或香檳色系的陽極氧化膜。 氧化膜具有優(yōu)異的耐腐蝕性能和裝飾性能,且具備很好的陶瓷光澤。詳細研究了該工藝的陽極氧化特征、電解液組分以及工藝參數(shù)對膜層性能的影響。并采用了電子掃描顯微鏡(SEM)分析了膜層的微觀形貌。本嚴格遵循相關法律法規(guī)規(guī)定,絡,如有請告知。
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鋁卷廠家生產(chǎn)的硬磁盤毛料與基片除罐身料外,鋁卷軋制廠的另一種典型產(chǎn)品是計算機硬磁盤毛料與基片(harddiskblanksandsubstrates)。磁盤車間是的,高度潔凈的,由原來的廠改造而成。鋁卷廠的磁盤毛料與基片品質了全用戶的信賴,不但占有的國內(nèi)市場,而且市場的占有率高達60%。 鋁卷軋制廠生產(chǎn)磁盤毛料直徑有140mm,90mm,45mm,35mm等多種,用兩臺壓力為3MN壓力機落料。小毛料的厚度為1.9-2.1mm,大毛料的厚度為4mm。目前,該廠的毛料產(chǎn)量約為2億片每年。磁盤基片車間有十幾臺精密磨床,將基片磨到所需的粗糙度。 在處理基片上一層NiP膜作為底層后,再均勻地涂一層磁性膜。研究中心出了一種含有Cu或Zn的磁盤合金KS5D86。該合金有優(yōu)異的表面處理性能,可均勻形成吸附力很強的NiP薄膜,在上了廣泛的應用。它有很強的抗沖壓力,在個人計算機與計算機磁盤中有著大量的應用。 可作為硬磁盤基片的材料還有玻璃、欽、碳素等,但鋁合金由于其優(yōu)異的性能,從開始應用的那天起至今仍在硬磁盤領域占有統(tǒng)治地位。這些性能是:無磁性;良好地可切削性;可長期保持表面光潔度,以維持低的漂浮高度(flyingheight);密度低,能適應高速;材料成本也低。
在反復的過程中,晶粒細化的一般過程為:首先,晶粒被粉碎成一系列具有小角度界面的亞晶,亞晶沿著一定方向拉長形成帶狀組織,亞晶帶寬度一般為幾微米或亞微米;然后,亞晶被繼續(xù)破壞,開始出現(xiàn)部分具有大角度界面的等軸晶組織;后,亞晶帶消失,顯微組織主要為具有大角度晶界的等軸晶組織。 鋁卷廠家談等通道轉角對對顯微組織的作用等通道轉角對于純金屬、合金、金屬間化合物等具有顯著的晶粒細化效果,可以0.2一0.3um尺寸的超細等軸晶組織。研究各工藝路線對晶粒細化的作用應綜合考慮剪切面、晶體結構和變形織構間相互作用,因為相鄰道次間剪切面的夾角今隨著工藝路線的不同而變化。 以純鋁為例,路徑Bc比A、C路徑更容易等到等軸晶粒,而路徑A比Bc和A路徑更容易的到大角度晶界,而細化晶粒的效果是路徑Bc哪。對于密排六方結構的鎂和鎂合金,由于其主滑移發(fā)生在(000晶面,而在1120晶向是鎂的易滑移方向,所以對于鎂合金,為快的晶粒細化效果,應采用路徑Bc。 例如,透射電鏡可觀察到等通道轉角Al一Cu一0.SZr等軸晶組織的擴展厚度消失形貌,而該形貌在退火后消失;這種擴展與晶界處存在大量的彈性應變和晶體點陣的扭轉有關,且測定了ECAP純Cu的晶界附近的彈性應變,結果表明這。
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