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變壓器分好多類的,其中應(yīng)用廣泛的是開關(guān)電源的變壓器。這種變壓器不僅質(zhì)量好,而且性價(jià)比也很高。因?yàn)楝F(xiàn)在變壓器質(zhì)量越來越不好了。品種而多了質(zhì)量下去了。所以現(xiàn)在想找一個(gè)性價(jià)比高的變壓器很難找。但是開關(guān)電源變壓器質(zhì)量是沒的說。 因?yàn)樗粌H可以用在開關(guān)上而且可以用在其它一些電器上,比如電視機(jī),電冰箱等,因?yàn)檫@些家用的電器對(duì)變壓器的要求非常高。那么開關(guān)電源變壓器有什么優(yōu)點(diǎn)呢假定阻抗是4%,則二次側(cè)短路后,高壓側(cè)的額定電流是25倍。時(shí)間2秒空載合閘涌流(峰值)大約是額定電流的12倍,率減到額定電流的一半時(shí)間大約1秒。 根據(jù)以上特性選擇合適的熔絲,也就是不會(huì)由于合閘涌流誤動(dòng)作。當(dāng)二次側(cè)短路的時(shí)候則不能由于不動(dòng)作導(dǎo)致變壓器被損壞。而在額定電流下能夠運(yùn)行。這樣大家可以明白電源變壓器了吧其實(shí)如果大家高度一下這方面的變壓器知識(shí),那么對(duì)變壓器就會(huì)很大程度的了解,不僅變壓器質(zhì)量好,而且變壓器的性價(jià)比才是重要的。 特高壓工程相較于其他輸變電工程來說,具備更靈活的融冰措施,原理均為電流,引起導(dǎo)線,起到融冰的效果。目前特高壓工程設(shè)計(jì)的融冰方式有兩種:一是有專門的融冰運(yùn)行方式,通過改變主回路接線方式,增大直流電流;二是不改變主回路接線,通過調(diào)節(jié)運(yùn)行方式,增大直流電流進(jìn)行融冰。
SCB13型干式變壓器結(jié)構(gòu)特點(diǎn):鐵芯SCB13干式變壓器采用優(yōu)質(zhì)冷軋晶粒取向硅鋼片,鐵芯硅鋼片采用45度全斜接縫,使磁通沿著硅鋼片接縫方向通過.繞組SCB13干式變壓器繞組有以下幾種:纏繞式環(huán)氧加石英砂填充澆注玻璃纖?。 抗短路,耐雷電沖擊性能好。外殼采用不繡鋼、冷板和鋁合金三種材料,類型分拔風(fēng)式、散熱式,進(jìn)出線可以上進(jìn)上出,下進(jìn)上出,下進(jìn)下出。變壓器可按用戶需要帶有溫度控制和溫度顯示系統(tǒng),可和溫控系統(tǒng)配合使用。產(chǎn)品特點(diǎn)剖析線圈采用銅導(dǎo)線纏繞或箔繞,以玻璃纖維增強(qiáng),環(huán)氧不加填料真空干燥脫氣脫濕整體澆注,機(jī)械強(qiáng)度高,抗短路,耐沖擊能力強(qiáng)。 高壓繞組首末端及中間分接采用銅嵌件預(yù)埋結(jié)構(gòu),鋼性好,便于調(diào)檔,美觀整齊。鐵芯采用優(yōu)質(zhì)晶粒取向冷軋硅鋼片疊制,45度全斜多階梯接縫。表面用絕緣涂層覆蓋,耐,防銹,降噪。鐵芯、夾件和線圈之間采用彈性件,使線圈處于壓緊狀態(tài),以降低噪音。 變壓器按自冷設(shè)計(jì),整體澆注的高(低)壓線圈筒壁內(nèi)部預(yù)留有縱向通風(fēng)道,可配備風(fēng)冷裝置(冷卻風(fēng)機(jī)),采用風(fēng)冷裝置后,可輸出容量50%。配有溫控器,在低壓線圈頂部的預(yù)埋孔內(nèi)放置鉑電阻(Pt100)。以監(jiān)測(cè)變壓器繞組溫升,自動(dòng)啟停冷卻風(fēng)機(jī)并設(shè)有故障、超溫和超溫跳閘功能,為干式變壓器提供可靠的過載保護(hù)裝置,從而干式變壓器運(yùn)行的性。
本例采用第三種方法,即在驅(qū)動(dòng)變壓器的各繞組間加繞屏蔽層,其結(jié)構(gòu)如圖3所示,共5個(gè)繞組和5個(gè)屏蔽層。整個(gè)變壓器包括屏蔽層從左向右逐層繞制,N1接到控制回路的地;兩個(gè)下管驅(qū)動(dòng)繞組由于電位變化不大,同時(shí)與N2連接,實(shí)際上是接到了功率地;N3和N4將上管繞組NA包了起來,并與NA的異名端相接;N5將繞組ND與NA隔離。 這樣每個(gè)繞組都和它的屏蔽層同電位,它們之間不會(huì)有容性電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通、上管繞組NA的電位跳升時(shí),屏蔽層N3和N4的電位也要同樣跳變,由于N2和N3之間的分布電容,這個(gè)跳變將在這兩個(gè)屏蔽層中間產(chǎn)生電流,但對(duì)管子的驅(qū)動(dòng)沒有影響,只是會(huì)耗損一點(diǎn)主功率。 在實(shí)際電路中采用了加電磁屏蔽的驅(qū)動(dòng)變壓器之后,問題得到了全部解決。需要提出的是,屏蔽的作用是將各個(gè)繞組隔離開,以避免分布電容的不良影響。因此屏蔽層接到什么地方,是需要慎重考慮的,否則可能適得其反。如果圖3中的NN4不與NA相接,而是與N2一起接到功率地,則電容分布如圖4所示,CC7分別表示繞組NA的上下端與屏蔽層N3間,也就是功率地間的分布電容(實(shí)際上CC7分別是包含了圖2中、C1后的等效電容)。 當(dāng)NA輸出正脈沖的上升沿時(shí),TA迅速導(dǎo)通,M點(diǎn)電位跳升,于是CC7中要有容性電流產(chǎn)生。M是低阻抗點(diǎn),電流iC7對(duì)它的電位影響不大,但N點(diǎn)卻是高阻抗點(diǎn),iC6電流將降低它的電位,可能使TA管關(guān)斷。因此不能采用這種連接方式。
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