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采用三維CAD設(shè)計(jì)就更少了。只有真正意義上的CAD,才能有效降低設(shè)計(jì)成本和設(shè)計(jì)效率并保證設(shè)計(jì)質(zhì)量。三西格瑪質(zhì)量水平要求的缺陷率為0.27%,即合格率為973%,更不用說六個(gè)西格瑪質(zhì)量水平了,它要求的缺陷率為百萬分之三點(diǎn)四,幾乎是零缺陷。 變壓器有的時(shí)候會產(chǎn)生一些小毛病,但是我們在物理學(xué)中也學(xué)習(xí)過錯(cuò)誤和誤差,一般來講,什么是錯(cuò)誤,什么是誤差我們要分辨清楚,其實(shí)變壓器也是有誤差的,這不算是錯(cuò)誤,但是由于變壓器的嚴(yán)重到一定程度就是錯(cuò)誤了,必須要進(jìn)一步去改進(jìn)了。 我們來看看變壓器都是由哪些誤差1)小電流運(yùn)行時(shí),既低負(fù)荷運(yùn)行,由于負(fù)荷電流較小,這樣勵(lì)磁電流就不能忽略,這樣如果直接根據(jù)關(guān)系0=I1*W1+I2*W2來求I1就不準(zhǔn)確了。所以變壓器一般都會給一個(gè)精度等級,這就和材料有關(guān)系了,材料越好,產(chǎn)生相同的磁通需要的電流就越小,既勵(lì)磁電流就可以很小,這樣自然就了測量的精度。 2)大電流運(yùn)行時(shí),由于某些原因使變壓器工作進(jìn)入飽和區(qū),其實(shí)飽和不飽和并不是因?yàn)殡娏鞔缶惋柡?,而是?lì)磁電流大才會飽和,比如CT在線路故障時(shí)一次側(cè)有大電流,超出了變壓器容量,則超出部分就會變?yōu)閯?lì)磁電流引起變壓器飽和,這時(shí)變壓器精度同樣變差了。
詳細(xì)介紹110KV特高壓變壓器110KV級三相油浸式電力變壓器依據(jù)電工會IEC60076和GB1091~2-199GB1093,.5-1985制造,:50Hz,的輸變電之用。作為定點(diǎn)企業(yè),已有40年的110KV產(chǎn)品生產(chǎn)歷史,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐沖擊性能,機(jī)械性能好、抗短路能力強(qiáng)、低局放、低噪音、低損耗、密封性能好、少等特點(diǎn)。 110KV特高壓變壓器執(zhí)行GB1091-1996電力變壓器總則GB1092-1996電力變壓器溫升GB1093-2003電力變壓器絕緣水平和絕緣試驗(yàn)GB1095-2003電力變壓器承受短路能力GB6451-2008油浸式電力變壓器技術(shù)參數(shù)和要求110KV特高壓變壓器結(jié)構(gòu)特征。 根據(jù)變壓器容量的大小,繞組采用圓筒式、螺旋式、連續(xù)式等結(jié)構(gòu),對于110KV特高壓變壓器的繞組,則采用糾結(jié)式或內(nèi)屏式結(jié)構(gòu),從而有效地了沖擊電壓分布,導(dǎo)線采用換位導(dǎo)線或復(fù)合導(dǎo)線,以繞組的附加損耗,并采。 110KV特高壓變壓器器身壓緊結(jié)構(gòu)采用整圓絕緣壓板。套裝工藝采用繞組整體組裝,從而了產(chǎn)品的可靠性。油箱采用平頂鐘罩式結(jié)構(gòu),箱壁焊有折板式加強(qiáng)鐵、了油箱的機(jī)械強(qiáng)度,為了變壓器的雜散損耗,大型變壓器在油箱裝有磁屏蔽。
屏蔽層NN4如改與NA的同名端相接,效果也不好。實(shí)際電路都是由非理想元件組成的,在設(shè)計(jì)中可能會遇到許多預(yù)料不到的情況。在調(diào)試如圖1所示的普通全橋電源時(shí),輸出不是料想中平穩(wěn)的波形,而是不時(shí)發(fā)生間歇振蕩,并發(fā)出“吱吱”聲,有時(shí)甚至?xí)龤ч_關(guān)管。 對電路進(jìn)行分析后未發(fā)現(xiàn)結(jié)構(gòu)上可能導(dǎo)致不的因素,于是改變輸出采樣的電壓比,將輸出調(diào)定在半電壓24V上,使用90V的輸入直流電壓,在保證功率管的情況下進(jìn)行調(diào)試。待電路工作正常后,再升高輸入直流電壓,經(jīng)過多次試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)當(dāng)Ui為180~250V時(shí)就可能引發(fā)振蕩,后判定是驅(qū)動(dòng)變壓器各個(gè)繞組之間的分布電容在搗亂。 當(dāng)驅(qū)動(dòng)變壓器的繞組NA輸出正脈沖時(shí)NB輸出負(fù)脈沖,TA管由截止轉(zhuǎn)為飽和導(dǎo)通,于是TA管的源極即M點(diǎn)的電位急速升高,并通過電容C2NB繞組上端P的電位,升高的數(shù)值與兩個(gè)繞組的分布電容CCC3有關(guān),還和P點(diǎn)到地的高頻阻抗以及M點(diǎn)電位上升的速度有關(guān)。 兩只開關(guān)管的電容分布如圖2所示,其中C2是繞組NA的下端M與NB的上端P間的分布電容。如果的數(shù)值大于NB繞組自身的負(fù)脈沖幅度,就會引發(fā)TB管的瞬時(shí)導(dǎo)通,從而出現(xiàn)前面所述的間歇振蕩。其他各管導(dǎo)通時(shí)也會有類似情況發(fā)生。
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